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📰 进一步增强逻辑性能:三星电子计划在 HBM5 内存导入 2nm 基础裸片

进一步增强逻辑性能:三星电子计划在 HBM5 内存导入 2nm 基础裸片

IT之家 7 月 27 日消息,根据三星半导体官方今日发布的人物访谈,三星电子晶圆代工业务技术开发负责人구자흠进一步确认,三星计划在 HBM5 世代应用 2nm 的基础裸片。三星电子存储器业务开发副总裁 황상준 今年 3 月也进行了类似表态

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