📰 HBM4 基片 4nm 工艺需求增长带动,曝三星晶圆代工 2026 亏损同比收窄 41.8%
HBM4 基片 4nm 工艺需求增长带动,曝三星晶圆代工 2026 亏损同比收窄 41.8%
IT之家 10 月 1 日消息,集邦咨询综合 digitaltoday 等多家媒体报道,称受 HBM4 基片 4nm 工艺需求增长,三星电子晶圆代工与系统级芯片(System LSI)业务 2026 年合并营业亏损同比收窄 42%。
HBM4 采用多颗 DRAM 芯片垂直堆叠架构,底层基片负责信号控制与数据调度,主要服务于 AI 加速器、GPU 等高算力芯片,提供远超传统 GDDR 的带宽与能效。
而 HBM4 堆叠结构中最底层的逻辑芯片 base die 采用 4nm 工艺,伴随着市场需求快速增长,三星正在加快相关产能爬坡。三星于今年 2 月启动 HBM4 量产出货,5 月向客户送样 HBM4E,第三季度 HBM4 收入预计环比增长三倍以上。
报道称 HBM4
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