📰 长鑫技术新突破，融合 4F² 架构等先进技术的 DDR5 RDIMM 产品预计年底亮相

IT之家 10 月 10 日消息，长鑫存储 4F² DRAM 架构研发近期取得关键进展。该公司总裁曹堪宇博士在第四届集成芯片和芯粒大会上发表演讲，全面介绍了长鑫存储在 DRAM 器件、4F² 架构及混合键合等方向的技术探索与积累，并官宣预计年底将推出融合了上述先进技术的新一代 DDR5 RDIMM 产品。

据曹堪宇博士介绍，长鑫自成立以来就启动了 4F² 的研究和专利布局，公开专利族超 300 件，数量领先海内外厂商。长鑫在 2021 年发布了大陆首篇 4F² 架构相关的论文，并在 2023 年、2025 年的两篇论文中分享了在该架构上的研发进展。

IT之家查询获悉，当前行业主流 DRAM 单元为 6F² 架构。在 DRAM 芯片设计中，一个存储单元通常由一个晶体管（1T）和一个电容器（1C）组成。4F²

查看原文 → ^↗