📰 三星将采用台积电 3nm 工艺为英伟达生产下一代 HBM 基底裸片

IT之家 10 月 18 日消息，据首尔经济日报今日报道，三星电子将采用全球最大晶圆代工厂台积电的制造工艺，生产英伟达下一代定制高带宽内存（HBM）的核心组件 —— 基底裸片（base die）。在此之前，三星供应的所有 HBM 产品中，作为存储芯片的核心裸片（core die）与充当系统半导体的基底裸片，均由三星自主生产。如今三星决定接受英伟达的技术要求，调整 HBM 的一站式全包制造模式。

业内消息人士 18 日称，英伟达已向三家 NVHBM 供应商 —— 三星电子、SK 海力士（000660.KS）和美光提出要求：使用台积电 3 纳米工艺制造基底裸片。英伟达同时要求，核心裸片统一采用代号 1c 的第六代 DRAM 工艺。NVHBM 基于第七代下一代 HBM 标准 HBM4E 架构开发

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