📰 美光预计 2028 年带来计算芯片垂直堆叠 HBM 与边缘推理 vEIM
美光预计 2028 年带来计算芯片垂直堆叠 HBM 与边缘推理 vEIM
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IT之家 10 月 22 日消息,Micron(美光)当地时间昨日举行了 2026 年度技术网络研讨会,对 DRAM、泛 HBM、NAND 与 SSD 进行了展望,本篇聚焦于堆叠集成的泛 HBM 内存产品。

美光预计在标准 HBM5 面世的 2028 年还有两种新型 3DS 内存也将到来,分别是 vHBM 和 vEIM。
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