📰 美光预告 G11 NAND:超 400 层堆叠,双倍密度,2027H2 产能爬坡
美光预告 G11 NAND:超 400 层堆叠,双倍密度,2027H2 产能爬坡
IT之家 10 月 22 日消息,Micron(美光)当地时间昨日举行了 2026 年度技术网络研讨会,对 DRAM、泛 HBM、NAND 与 SSD 进行了展望,本篇关注闪存类别。

美光本次预告了其预计 2027H2 产能爬坡的 G11 NAND 闪存,这家企业似乎跳过了 G10 世代。
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