📰 Neo Semiconductor 公布 2T SRAM，宣称可实现 5 倍片上缓存容量

IT之家 8 月 5 日消息，3D 存储半导体 IP 企业 Neo Semiconductor 在 FMS 2026 上公布了其双晶体管 (2T) SRAM 设计 X-SRAM，宣称可实现现有方案 5 倍的片上缓存容量。

IT之家了解到，目前的商业化主流 SRAM 由 6 个晶体管构成，这限制了片上缓存的扩展，而
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