📰 有助于突破摩尔定律极限，台积电等研发出单层二硫化钼 MoS2 顶栅极晶体管

有助于突破摩尔定律极限，台积电等研发出单层二硫化钼 MoS2 顶栅极晶体管

IT之家 8 月 7 日消息，据台媒经济日报消息，台积电在下一代技术领域取得重大突破。

台积电联合阳明交通大学团队，成功研发出高性能单层二硫化钼（MoS₂）顶栅极晶体管，有助于突破摩尔定律极限，为开启“后硅”时代带来全新契机，相关研究成果已发表于学术期刊《自然-电子学》。

业界指出，为突破摩尔定律的极限，当半导体制程迈入 1 纳米以下节点时，寻找新材料已成为必然趋势。其中，二硫化钼（MoS₂）作为备受瞩目的新型二维半导体材料，预计将在约 1 纳米以下的 0.7 纳米（A7 制程）/CFET（互补场效应晶体管）时代正式引入。