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📰 消息称三星电子 HBM4 良率已接近 80%,产能爬坡加速

消息称三星电子 HBM4 良率已接近 80%,产能爬坡加速

IT之家 8 月 10 日消息,韩媒《首尔经济日报》当地时间 9 日援引消息人士的话报道称,三星电子在 HBM4 内存上的良率已接近 80%,即将达成原定 2026 年底实现的目标;更高的良率也加速了其 HBM4 产能爬坡进程。

业内消息源称,三星电子今年 2 月初步量产 HBM4 时其良率仅有 60% 左右,远不能达到 DRAM 行业大

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