📰 消息称三星 HBM 基础裸片将推进 2nm 尖端工艺,延续自研 4nm HBM4 路线
消息称三星 HBM 基础裸片将推进 2nm 尖端工艺,延续自研 4nm HBM4 路线
IT之家 8 月 14 日消息,据科技媒体 Wccftech 今天报道,三星将重新规划一座正在建设中的生产线,用于制造 HBM(高带宽内存)的基础裸片(Base Die)。

据业内人士消息,三星的这条生产线将采用 2nm 尖端制程工艺,预计将在两年后投入使用
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