📰 长电科技完成 1.5μm 小孔径 11.3:1 高深宽比 TSV（硅通孔）试制

IT之家 8 月 19 日消息，长电科技 (JCET) 今日宣布该企业与合作伙伴共同完成了 1.5μm 小孔径 17μm 深度的 11.3:1 高深宽比 TSV（硅通孔）试制。

本次样品试制围绕深硅刻蚀、孔壁绝缘层沉积、阻挡层与种子层沉积、铜填充等

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