📰 从 GAA 到 3D 堆叠式 FET：三星展示业界最小 42nm 栅距 3D 堆叠晶体管，理论密度翻倍

从 GAA 到 3D 堆叠式 FET：三星展示业界最小 42nm 栅距 3D 堆叠晶体管，理论密度翻倍

IT之家 6 月 17 日消息，三星电子今日宣布，在 6 月 14 日至 18 日举行的 2026 年 VLSI 技术研讨会上，三星半导体研发中心逻辑技术开发团队首次展示了业界首个栅极间距达到 42nm 的 3D 堆叠场效应晶体管架构。

据介绍，该研究论文从超过 1000 篇投稿中脱颖而出，以 8.29 分（IT之家注：满分 10 分）的最高评审分数荣获最佳论文奖，并被选为本届大会技术亮点。