📰 消息称三星电子展示全球首款 5nm MRAM 研发成果,目标 2027 年量产
消息称三星电子展示全球首款 5nm MRAM 研发成果,目标 2027 年量产
▲ MRAM 结构示意
IT之家 6 月 17 日消息,据韩媒 SEDaily 当地时间 12 日消息,三星电子在 2026 年度 IEEE VLSI 研讨会上展示了全球首款 5nm MRAM(磁性随机存取存储器)的研发成果。

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