📰 新型碳化硅 SiC 晶体管问世，可在 600℃ 高温下工作

IT之家 8 月 25 日消息，科技媒体 Tom's Hardware 昨日（8 月 24 日）发布博文，报道称京都大学研究团队研发出新型碳化硅（SiC）晶体管，采用标准离子注入工艺制造，可在 600℃（873 K）下工作。

IT之家援引博文介绍，该晶体管采用商业芯片工厂普遍使用的“离子注入”（ion implantation）工艺打造，相关成果于 8 月 17 日发表在《APL Electronic Devices》。

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