📰 消息称三星电子正为英伟达开发定制 8Hi HBM:17~18Gbps 高速设计
消息称三星电子正为英伟达开发定制 8Hi HBM:17~18Gbps 高速设计
IT之家 8 月 31 日消息,韩媒《首尔经济日报》当地时间 28 日报道称,三星电子正为 NVIDIA(英伟达)开发一款定制的 HBM 内存产品。其采用 8 层低堆叠设计,同时支持 17~18Gbps 的高引脚速率。
IT之家注:
原文同时称其为 HBM4E 和 NVHBM。但从 NVIDIA 的表述上来看,NVHBM 和标准 HBM4E 必然采用有差异的基础裸片 (Base Die) 设计,而 DRAM Die 是否能相同也有
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