📰 中国科学院微电子所突破 3D DRAM 技术：首次展示 4 层 3D 2T0C，数据保持 400 秒

IT之家 6 月 20 日消息，中国科学院微电子研究所 6 月 17 日发布消息称，集成电路制造技术全国重点实验室团队联合北京超弦设备研究院，在基于 IGZO（铟镓锌氧化物）的 2T0C 三维动态随机存取存储器（3D DRAM）研究方面取得新进展，并提出基于 2T0C 单元结构的单步高层三维集成方案，首次展示了四层 3D 2T0C 结构。

相关成果论文《Highly stackable 3D DRAM of Dual-gate IGZO 2T0C with Record 3 bits / cell and 400s Data Retention》已入选 2026 IEEE Symposium on VLSI Technology and Circuits（VLSI 2026）。

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