📰 冲击 1000 层:三星披露 NAND 规划,SSD 容量目标 4 倍提升
冲击 1000 层:三星披露 NAND 规划,SSD 容量目标 4 倍提升
IT之家 6 月 24 日消息,科技媒体 Wccftech 昨日(6 月 23 日)发布博文,报道称三星披露下一代 NAND Flash(闪存)路线图,计划 2030 年前后冲击 900 至 1000 层 SSD。
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IT之家 6 月 24 日消息,科技媒体 Wccftech 昨日(6 月 23 日)发布博文,报道称三星披露下一代 NAND Flash(闪存)路线图,计划 2030 年前后冲击 900 至 1000 层 SSD。
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