📰 芯联集成推出 3300V 高耐压碳化硅（SiC）MOSFET 器件

IT之家 6 月 25 日消息，芯联集成（UNT）昨日宣布推出基于自研 8 英寸碳化硅 (SiC) 高压平面栅工艺平台的 3300V SiC MOSFET 器件。该产品面向固态变压器等高压、高功率密度、高可靠性应用场景深度定制，目前已向核心客户送样验证。

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