📰 全球首发：国产镓仁半导体建成 6/8 英寸氧化镓同质外延量产线

IT之家 7 月 6 日消息，杭州镓仁半导体有限公司（下称“镓仁半导体”）今年 6 月宣布，基于自研铸造法单晶生长与 MOCVD 外延工艺，建成全球首条 6/8 英寸氧化镓同质外延量产线，向头部芯片客户批量供货。

在长晶环节，镓仁半导体依靠全球独创的铸造法长晶技术，稳定生长出超厚氧化镓晶体。结合公司超薄衬底加工技术，将衬底出片量提升至原有 3 至 4 倍。此外，铸造法也进一步降低了贵金属铱的用量，使衬底单片成本较原来降低 80% 以上，显著降低下游器件厂商的材料成本。

在外延环节，镓仁半导体技术团队针对（100）面特点优化关键工艺参数，设计特色 MOCVD 外延工艺，成为全球首家且唯一一家商用 6 英寸氧化镓同质外延的供货厂商。公司出品的 6 英寸氧化镓同质外延片外延层厚度大于

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