📰 英特尔为追赶台积电三星被曝拟推 14A“魔改”工艺 14A2，引入“双面供电”技术应对 21nm M0 互连挑战

IT之家 7 月 7 日消息，Wccftech 及韩国媒体 ETNews 昨日报道称，英特尔正在评估为下一代 14A 工艺推出特殊的“魔改”工艺 14A2 并进行架构调整。

英特尔正考虑在原定背部供电（BSPDN，Backside Power Delivery）的基础上，同时保留部分前部供电，形成前后双侧供电（Dual Side）方案，以应对更先进制程下互连尺寸进一步缩小带来的技术挑战。

报道称，英特尔原计划在 14A 工艺中采用名为 PowerDirect 的背部供电技术，将供电网络转移至晶圆背面，为晶体管所在的正面释放更多布线空间，从而提升晶体管密度、降低电压损耗，并改善芯片性能。

在作为半节点升级版本的 14A2 工艺上，英特尔计划进一步缩小最低金属互连层（M0）间距，从 14A 的约 28nm 压缩至约 21nm

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