📰 消息称 SK 海力士计划重启大连二厂扩建工程，将生产 238 层 NAND 闪存芯片

IT之家 7 月 10 日消息，据韩媒 newstomato 消息，业界消息透露，SK 海力士近期将以向中国大连第二工厂引进设备为契机，正式推进全新生产线的投资与建设。

SK 海力士计划从今年下半年起搬入生产设备，并于明年上半年分阶段完成设施建设。目前，大连第一工厂已完成向 192 层 NAND 闪存产线的升级投资以及老化设备的更换工作。

报道称，在 SK 海力士所有的 NAND 闪存生产基地中，大连第二工厂被视为能最快实现产能扩充的地点。该公司曾于 2022 年在大连举行开工仪式并正式宣布投资计划，但随后因 NAND 闪存行业遇冷，该投资计划实质上已被暂缓。

据悉，部分韩国本土供应商已着手将闲置的 NAND 闪存设备搬迁至大连，而海外设备制造商也已收到用于设备供

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