📰 AI 内存 V-Die 方案亮相：侧立放置 DRAM 吞吐 540 tokens/s，较 HBM4 高 82.43%

IT之家 7 月 11 日消息，科技媒体 Tom's Hardware 昨日（7 月 10 日）发布博文，报道称在 6 月召开的 IEEE / JSAP 超大规模集成电路技术研讨会上，针对 AI 加速器的内存散热与带宽瓶颈，研究团队提出 V-Die 与 MOSAIC 两种 HBM 集成方案。

IT之家注：高带宽内存（HBM）是面向高性能计算与 AI 加速器的近封装内存技术，通过多层 DRAM 堆叠，并借助超宽总线与处理器近距离互连，以较短数据路径提供极高带宽。典型应用包括 GPU、AI 训练与推理加速器、超级计算节点等高吞吐场景。

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